我院胡益丰教授课题组在微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters发表高水平研究论文
2023-03-10      阅读次数: 1223

近日,我院胡益丰教授课题组在微电子器件研究领域取得重要进展,研究成果Study on the Performance of Flexible Memory Device Based on Antimony Film在微电子领域权威期刊IEEE Electron Device Letters上发表,论文链接https://ieeexplore.ieee.org/document/10024319

 

随着电子器件小型化的飞速发展,柔性可携带电子设备的需求大幅上升,存储器作为电子设备中不可或缺的部分势必要往柔性化方向发展。面对器件柔性化的需求,传统的硅衬底已经无法满足工程需求,所以迫切需要开发新型的柔性衬底。聚醚醚酮(PEEK)具有熔点高、抗阻燃、耐腐蚀和抗疲劳等优点,可以在多种复杂环境中稳定地工作。PEEK的这些优点为其能够在电子器件领域得到广泛的应用提供了依据,也为其成为柔性相变存储器中衬底材料提供了可能性。单质锑(Sb)由于其相变速度快、不易发生成分偏析的优势,在相变存储器中具有广阔的应用前景。

为了探究相变材料在柔性存储方面的潜在价值,该课题组采用磁控溅射的工艺在PEEK衬底上制备了Sb单层薄膜及器件并进行了性能测试。在不同弯曲半径的模型下弯曲24h仍能保持完整的相变特性,多次弯曲后仍能保持良好的弯曲耐久性。拉伸前后的漂移系数变化小,Sb薄膜具有较好的抗拉伸性能。器件单元在弯曲前后仍可以实现SETRESET的可逆操作。结果表明,基于PEEK衬底的Sb薄膜及器件具有优异的柔性相变性能,为柔性相变存储器的发展提供了可能。

 

 

该论文通讯作者为胡益丰教授,第一作者为硕士研究生高士伟,江苏理工学院为论文第一署名单位。该项工作得到国家自然科学基金项目(No. 11974008, No. 12074152)的资助。IEEE Electron Device Letters是国际微电子器件领域的顶级期刊,也是IEEE Electron Devices Society第一旗舰期刊,在国际微电子领域享有权威的学术地位和广泛的影响力。(图/文 胡益丰;审核/朱小芹;编辑/张永政)


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